Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
155 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
LFPAK
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
300A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7204 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
375W