Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
15A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
41.5 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
DFN3030
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2361 pF @ 50 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
26.3W