Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
35 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
45mOhm @ 10A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
25.7A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2098 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
42.9W