Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
70A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
105 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7475 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
64W