Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
120A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 120µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4597 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
62.5W