Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
700 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tj)
Корпус
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (макс.) при Id
1.5V @ 10mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Поставщик Устройство Корпус
8-PDFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2A, 6V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
216 pF @ 400 V