Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7.5A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
23 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2160 pF @ 50 V
Поставщик Устройство Корпус
PMPAK® 3 x 3
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.125W (Ta)