Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.1A (Tc)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17.6 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
135mOhm @ 5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
928 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta), 20.8W (Tc)