XP10TN135H
Номер запчасти
XP10TN135H
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
YAGEO XSemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
2600
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$1.68
$1.68
10
$1.26
$12.6
100
$0.85
$85
500
$0.67
$335
1000
$0.61
$610
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.1A (Tc)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17.6 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
135mOhm @ 5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
928 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta), 20.8W (Tc)
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP