Статус детали
Last Time Buy
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
60W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
75A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 10V
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
34 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1840 pF @ 25 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-251S